Результаты поиска:2N7002DW
Найдено: 50+- С даташитом (в первых 50)39
- Производителей (в первых 50)29
Результаты поискаВсего: 50+
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays | MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6 | Даташит3 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays | SOT-363 N 60V 0.34A Transistors | Даташит6 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит3 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 商品目录 场效应管(MOSFET)；类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 60V；连续漏极电流(Id) 115mA；功率(Pd) 380mW；导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@10V,500mA；阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA | Даташит3 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 这款消费级MOSFET采用SOT-363微型封装，内含双N沟道结构，额定电压高达60V，最大连续电流为0.1A，适用于低功率电子设备的精密电源管理和高效开关应用。其小巧尺寸与高性能设计提供了灵活且可靠的电路解决方案。 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 带ESD防护，2个N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。 | Даташит4 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит1 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит3 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит21 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOS管 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.8Ω@10V,300mA | Даташит6 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | N沟MOS管 | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит5 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит9 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 小电流MOSFET产品，两个N沟道，耐压：60V，电流：0.23A, Rdson：1100mR | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит3 | |||||
| Даташит7 | ||||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2N7002DW | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.