Результаты поиска:IRFR5305TRPBF
Найдено: 7- С даташитом6
- Производителей5
Результаты поискаВсего: 7
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK | Даташит2 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET P-CH 60V 20A TO-252-2L | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | P沟道，-60V，-25A，：22mΩ@-10.0V,-10A，-1.6V@-250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。 | Даташит4 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术制造，具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性，适用于各种功率电路设计。TO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V； | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压60V，提供高效稳定的20A电流处理能力。专为中高压开关应用设计，广泛应用于各类消费电子产品，实现卓越的电源转换效率与系统稳定性表现。 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 类型: P沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 20A | Даташит2 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.