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MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC

MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC

2个P沟道，-30V，-5.8A，39mΩ@-10V,-5.0A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。

2个P沟道 耐压:30V 电流:4.7A

MOS场效应管

MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC

MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC

台积电流片，长电科技封装；是一款双通道功率场效应管，采用Trench工艺，适用于需要高功率和高耐压的应用场景，包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-7.3A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

AO4803A 是一款高性能2个P沟道沟道MOSFET，采用标准SOP-8封装，适用于各类电子设备。该器件的关键特性包括最大工作电压VDSS高达30V，能提供稳定的5.3A漏极电流；其35mΩ的导通电阻RD(on)设计，有效降低系统功耗，实现高效能运作。广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关控制等领域，是您构建高可靠性、节能型电子系统的理想MOS管选择。

MOS（场效应管）

Dual P-Channel MOSFET