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P-Channel Enhancement Mode MOSFET

MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3

MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3

NRND = Not Recommended for New Design

MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3

这款场效应管为P型，电流为4.2A，可适应一定功率需求。电压20V，能在多种常见电路中稳定工作。内阻典型值48mR，会对能耗有一定影响。VGS为12V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流控制。

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3

这款场效应管为P型，电流为4.2A，可适应一定功率需求。电压20V，能在多种常见电路中稳定工作。内阻典型值48mR，会对能耗有一定影响。VGS为12V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流控制。(DMP2305U-7)

MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。