搜索结果:TK110E65Z
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产品搜索结果共 3 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 单 FET,MOSFET | The TK110E65Z is a Toshiba 400V - 900V MOSFETs product. N-ch MOSFET, 650 V, 0.11 Ω@10V, TO-220, DTMOSⅥ Switching Voltage Regulators| Find data sheet and product information from the product details page. | 数据手册12 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 650V DTMOS VI TO-220 110MOHM | 查看详情 | |||||
| 单 FET,MOSFET | 【联系:sales@hxymos.com】该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻典型值为94mΩ,在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件采用碳化硅材料,具备优异的高频特性和高温稳定性,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频开关应用。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升整体系统能效与功率密度。 | 数据手册1 | 查看详情 |
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