搜索结果：TK11A65W
共 6 条- 匹配型号6
- 有数据手册6
- 涉及品牌4
产品搜索结果共 6 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 数据手册13 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 高品质超洁MOS管 N沟道,电流11.1A,耐压650V,导通电阻：0.33Ω | 数据手册3 | 查看详情 | ||||
| 单 FET，MOSFET | 【联系：sales@hxymos.com】该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为15A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至+16V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类中高功率电子设备中的功率开关环节，有助于提升整体能效并减小系统体积。 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | TO220F；N—Channel沟道,650V；10A；RDS(ON)=820mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V； | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 数据手册2 | 查看详情 |
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