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- BCW29
Single Bipolar Transistors
- BCW29
Single Bipolar Transistors
- BCW29CSM
Single Bipolar Transistors
- BCW29LT1
Single Bipolar Transistors
- BCW29,215
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB
- BCW29,235
Single Bipolar Transistors
TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB
- BCW29,235
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB
- BCW29(Z)
Electrostatic and Surge Protection (TVS/ESD)
- BCW29,215
Single Bipolar Transistors
TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB
- BCW29,215
Single Bipolar Transistors
此PNP型三极管（BJT）具备0.2A的集电极电流(IC)和40V的集电极-发射极电压(VCEO)，适用于需要中等功率处理能力的电路。其直流电流增益(HFE)在100到300之间，确保了信号放大过程中的高效性能。特别值得一提的是，它拥有高达300MHz的过渡频率(FT)，表明该元件在高频应用环境下同样表现出色。这种三极管非常适合应用于无线通信模块及音频设备中，为设计者提供了在高频率下保持稳定增益的灵活选择。
- BCW29-HXY
Bipolar Transistors - Unspecified Type
此PNP型三极管（BJT）具备0.2A的集电极电流(IC)和40V的集电极-发射极电压(VCEO)，适用于需要中等功率处理能力的电路。其直流电流增益(HFE)在100到300之间，确保了信号放大过程中的高效性能。特别值得一提的是，它拥有高达300MHz的过渡频率(FT)，表明该元件在高频应用环境下同样表现出色。这种三极管非常适合应用于无线通信模块及音频设备中，为设计者提供了在高频率下保持稳定增益的灵活选择。(BCW29,215)
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