Results forSTD30NF06L

MOSFET N-CH 60V 35A DPAK

MOSFET N-CH 60V 35A DPAK

MOSFET N-CH 60V 28A DPAK

MOSFET N-CH 60V 28A DPAK

这款N沟道场效应管(MOSFET)具备卓越的电气性能，其最大连续漏极电流ID可达30A，能够承受高达60V的漏源电压VDSS。该器件拥有低至22mΩ的导通电阻RDON，确保了在高负载下的高效能运行。同时，它支持-20V到+20V的栅源电压VGS范围，适用于要求快速开关和良好热性能的应用场景。此MOSFET是电源管理、LED照明以及消费电子等领域中实现电路控制与保护的理想选择。

应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有高效、稳定和可靠的特性，可满足不同应用的需求，适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：33mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

STD30NF06LT4 型号N沟道MOS管，采用经典TO-252-2L封装，以其紧凑尺寸和良好散热性能深受市场青睐。器件标称电压VDSS高达60V，峰值电流ID可达30A，凸显出强大的电流处理能力。导通电阻仅为22mR，有效保障了在高功率应用中的能源效率与系统性能。此款MOS管适用于电源转换、负载开关、电机驱动等多元场景，出厂前完成严谨质量检测，确保其能在各种严苛条件下稳定工作，发挥出色性能。

适用于开关电力转换器应用。