Отчёт о замене

OSM1N1P65 аналоги из Китая и другие замены

Исходный

orisiliconOSM1N1P65

导通电阻(RDS(on))13Ω@0V；15Ω@10VКоличество1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)1A