Отчёт о замене

Si2312CDS-T1-GE3-HXY аналоги из Китая и другие замены

Исходный

HX

HXY MOSFETSi2312CDS-T1-GE3-HXY

导通电阻(RDS(on))27mΩ@4.5VКоличество1个N沟道漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)6A