Поиск аналогов электронных компонентов

2N2018

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - SingleTO-111

TRANS NPN 125V 1A TO111

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Напряжение коллектор-эмиттер125 V
Ток коллектора1 AМакс.
Коэффициент усиления hFE20500mA
Мощность20 WМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)100µA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)1 A
Power - Max20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)125 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition2MHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeStud Mount
Operating Temperature-
PackageBulk
Package / CaseTO-111-4, Stud
Supplier Device PackageTO-111
Другое
MfrGeneral Semiconductor
Product StatusActive
Series-
Transistor Type-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic6V @ 100mA, 1A

Документы