Поиск аналогов электронных компонентов

2N2916

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - Arrays

DUAL SMALL-SIGNAL BJT

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Current - Collector Cutoff (Max)2nA
Current - Collector (Ic) (Max)30mA
Power - Max300mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce300 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition-
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-65°C~200°C(TJ)
PackageBulk
Package / CaseTO-99-6 Metal Can
Supplier Device PackageTO-99-6
Другое
MfrMicrochip Technology
Product StatusActive
Series-
Transistor Type2 PNP (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic350mV @ 100µA, 1mA

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.