Поиск аналогов электронных компонентов
2N5116

2N5116

ПроизводитсяTransistors - JFETs

P-CHANNEL MOSFET TO-18

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Drain to Source Voltage (Vdss)600 mV
Power - Max500 mW
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)30 V
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-
PackageBulk
Package / CaseTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Supplier Device PackageTO-18
Другое
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds25pF @ 15V
MfrSolid State Inc.
Product StatusActive
Resistance - RDS(On)150 Ohms
Series-

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.