LGE(鲁光)Китай
商品目录 场效应管(MOSFET)；类型 1个P沟道；漏源电压(Vdss) 30V；连续漏极电流(Id) 4.1A；功率(Pd) 350mW；导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 60mΩ@10V,4.1A；阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока4.1 A
Сопротивление в открытом состоянии43 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |