ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDТайвань, Китай
停产 N沟道,电流:12A,耐压:650V
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 36, из них китайских: 18. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток650 V
Постоянный ток стока12 A
Сопротивление в открытом состоянии850 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 12A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |