IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TCN — синхронная DRAM емкостью 128Мбит (4М x 32) в корпусе TSOP II на 86 выводов, напряжение питания 3,3В, частота тактового сигнала 166МГц, коммерческий температурный диапазон.Проверено по даташиту
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 17. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
ТипDRAM
Объём памяти128 Mbit
ИнтерфейсParallel
Напряжение питания3 ~ 3.6 V
Тактовая частота166 MHzМакс.
Параметры, сверенные с даташитом
Пунктов: 27| Параметр | Значение и условия измерения | Источник |
|---|---|---|
| Тип памяти | Synchronous DRAM (SDRAM) | |
| Ёмкость | 128 Mbits (4M x 32) | |
| Интерфейс | LVTTL | |
| Напряжение питания | VDD: Min 3.0V, Typ 3.3V, Max 3.6V; VDDQ: Min 3.0V, Typ 3.3V, Max 3.6V | |
| Частота тактового сигнала | 166MHz | |
| Корпус | 86 pin TSOP II |
Все параметры (19)
| Питание | |
|---|---|
| Voltage - Supply | 3V ~ 3.6V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| Clock Frequency | 166 MHz |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Memory Size | 128Mbit |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 0°C~70°C(TA) |
| Package | Tray |
| Package / Case | 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Supplier Device Package | 86-TSOP II |
| Другое | |
| Access Time | 5.5 ns |
| Base Product Number | AS4C4M32 |
| Memory Format | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Organization | 4M x 32 |
| Memory Type | Volatile |
| Mfr | Alliance Memory, Inc. |
| Product Status | Obsolete |
| Series | - |
| Technology | SDRAM |
| Write Cycle Time - Word, Page | 2ns |
Распиновка и корпус
Figure 1. Pin Assignment (Top …
| Вывод | Название | Назначение | Источник |
|---|---|---|---|
| 1 | VDD: Питание | ||
| 2 | DQ0: Данные В/В | ||
| 3 | VDDQ: Питание DQ | ||
| 4 | DQ1: Данные В/В | ||
| 5 | DQ2: Данные В/В | ||
| 6 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 7 | DQ3: Данные В/В | ||
| 8 | DQ4: Данные В/В | ||
| 9 | VDDQ: Питание DQ | ||
| 10 | DQ5: Данные В/В | ||
| 11 | DQ6: Данные В/В | ||
| 12 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 13 | DQ7: Данные В/В | ||
| 14 | NC: Не подключать | ||
| 15 | VDD: Питание | ||
| 16 | DQM0: Маска данных В/В | ||
| 17 | WE#: Разрешение записи | ||
| 18 | CAS#: Строб адреса столбца | ||
| 19 | RAS#: Строб адреса строки | ||
| 20 | CS#: Выбор чипа | ||
| 21 | A11: Вход адреса | ||
| 22 | BS0: Активация банка | ||
| 23 | BS1: Активация банка | ||
| 24 | A10/AP: Вход адреса/Автопредзарядка | ||
| 25 | A0: Вход адреса | ||
| 26 | A1: Вход адреса | ||
| 27 | A2: Вход адреса | ||
| 28 | DQM2: Маска данных В/В | ||
| 29 | VDD: Питание | ||
| 30 | NC: Не подключать | ||
| 31 | DQ16: Данные В/В | ||
| 32 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 33 | DQ17: Данные В/В | ||
| 34 | DQ18: Данные В/В | ||
| 35 | VDDQ: Питание DQ | ||
| 36 | DQ19: Данные В/В | ||
| 37 | DQ20: Данные В/В | ||
| 38 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 39 | DQ21: Данные В/В | ||
| 40 | DQ22: Данные В/В | ||
| 41 | VDDQ: Питание DQ | ||
| 42 | DQ23: Данные В/В | ||
| 43 | VDD: Питание | ||
| 44 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 45 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 46 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 47 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 48 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 49 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 50 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 51 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 52 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 53 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 54 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 55 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 56 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 57 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 58 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 59 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 60 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 61 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 62 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 63 | VSSQ: Земля DQ | ||
| 64 | VSSQ: Земля DQ |
Изображения
Документы
Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.