AT49F040

IC MEM FLASH 4MB 55NS 32TSOP

AT49F040 — 4Мбит (512K x 8) 5В Flash-память со временем доступа 55–120 нс, в корпусах TSOP, DIP и PLCC, с функцией защиты Boot Block.Проверено по даташиту

Подобрать аналог Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипFlash

ИнтерфейсParallel

Напряжение питания≥ 5 V

Тактовая частота5 MHzМакс.

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 22

Параметр	Значение и условия измерения	Источник
Тип памяти	Flash Memory
Ёмкость	4 megabits (524,288 words by 8 bits)
Интерфейс шины	Parallel (8-bit Data, 19-bit Address)
Напряжение питания	5V (Single-voltage Operation)
Частота тактового сигнала	5 MHz (for Active Current test condition)
Корпус	32J (TSOP), 32P6 (DIP), 32T (PLCC)
Рабочая температура	Commercial: 0°C to 70°C; Industrial: -40°C to 85°C
Класс	Commercial, Industrial
Время доступа на чтение	55 ns, 70 ns, 90 ns, 120 ns
Рабочий ток	Max 50 mA (f=5 MHz; I_OUT=0 mA)
Ток ожидания CMOS	Max 100 μA (Commercial); Max 300 μA (Industrial)
Ток ожидания TTL	Max 3 mA (CE=2.0V to VCC)
Низкое напряжение входа	Max 0.8 V
Высокое напряжение входа	Min 2.0 V
Низкое напряжение выхода	Max 0.45 V (I_OL=2.1 mA)
Высокое напряжение выхода	Min 2.4 V (I_OH=-400 μA)
Абсолютный максимум - Температура под напряжением	-55°C to +125°C
Абсолютный максимум - Температура хранения	-65°C to +150°C
Абсолютный максимум - Напряжение входа	-0.6V to +6.25V
Время цикла стирания	10 seconds
Время цикла программирования	50 µs/Byte
Циклы записи	Typical 10,000

Все параметры (9)РазвернутьСвернуть

Питание
VCC Active Current	50 mA (Max)
VCC Standby Current CMOS	100 µA (Max)
Условия эксплуатации и корпус
Memory Size	4 megabits
Package	TSOP
Temperature Under Bias	-55°C to +125°C
Другое
Access Time	55 ns
Byte Programming Time	50 µs/Byte
Erase Cycle Time	10 seconds
Organization	524,288 words by 8 bits

Распиновка и корпус

Вывод	Название	Назначение
1	A11	(Адрес)
2	A9	(Адрес)
3	A8	(Адрес)
4	A13	(Адрес)
5	A14	(Адрес)
6	A17	(Адрес)
7	WE	(Разрешение записи)
8	VCC	(Питание)
9	A18	(Адрес)
10	A16	(Адрес)
11	A15	(Адрес)
12	A12	(Адрес)
13	A7	(Адрес)
14	A6	(Адрес)
15	A5	(Адрес)
16	A4	(Адрес)
17	A3	(Адрес)
18	A2	(Адрес)
19	A1	(Адрес)
20	A0	(Адрес)
21	I/O0	(Вход/выход данных)
22	I/O1	(Вход/выход данных)
23	I/O2	(Вход/выход данных)
24	GND	(Земля)
25	I/O3	(Вход/выход данных)
26	I/O4	(Вход/выход данных)
27	I/O5	(Вход/выход данных)
28	I/O6	(Вход/выход данных)
29	I/O7	(Вход/выход данных)
30	CE	(Разрешение чипа)
31	A10	(Адрес)
32	OE	(Разрешение вывода)

Изображения

Документы

DatasheetDatasheet · 266.6 KB · 2026-11-04

Центр документации

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.