ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDТайвань, Китай
N沟道,电流:10A,耐压:650V
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 3, из них китайских: 2. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток650 V
Постоянный ток стока10 A
Сопротивление в открытом состоянии1.3 ΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |