Ampleon USA Inc.Нидерланды
Power LDMOS transistor
10 Вт LDMOS силовой транзистор для базовых станций в диапазоне от НЧ до 2200 МГц, керамический корпус SOT538A, встроенная защита от ЭСР, соответствует RoHS.Проверено по даташиту
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 2. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Напряжение коллектор-эмиттер65 V
Мощность10 WМакс.
Параметры, сверенные с даташитом
Пунктов: 15| Параметр | Значение и условия измерения | Источник |
|---|---|---|
| Тип | LDMOS power transistor | |
| Напряжение сток-исток | Max 65 V | |
| Мощность | 10 W | |
| Корпус | SOT538A; ceramic surface-mounted package; 2 leads | |
| Температура хранения | Min -65 °C; Max +150 °C | |
| Температура перехода | Max 225 °C |
Распиновка и корпус
КорпусSOT538A; ceramic surface-mounted package; 2 leads
| Вывод | Название | Назначение | Источник |
|---|---|---|---|
| 1 | сток | ||
| 2 | затвор | ||
| 3 | исток, соединен с фланцем |
Изображения
Документы
Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.