BORN(伯恩半导体)Китай

BZT52B9V1

ПроизводитсяSwitching Diodes

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

IZT(mA)	5
P.D.(W)	0.5
VZ (Max.)@IZT (V)	9.28
VZ (Min.)@IZT (V)	8.92
VZ (Nom.)@IZT (V)	9.1

Документы

DatasheetDatasheet · 1.4 MB · 2026-09-23

Центр документации