HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
【联系:sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式配置,额定正向电流为3A,最大反向电压达100V。其正向压降为0.85V,在100V反向电压下漏电流仅为20μA,表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流,适用于对反向耐压要求较高、同时需兼顾效率与可靠性的电源整流、开关电源输出端以及高频续流等电路场景。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Прямое падение напряжения850 mVМакс.
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | SMC |
| Другое | |
| IF | 3A |
| IFSM | 80A |
| IR | 20uA |
| VF | 0.85V |
| VR | 100V |
| 二极管配置 | 独立式 |