VBsemi(微碧半导体)Китай
CEU655-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。TO252；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=245mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=2~4V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток200 V
Постоянный ток стока10 A
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| Другое | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 96W |