SiC MOSFET 功率半导体器件
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| Package | TO-263-7 |
| Другое | |
| ID(A) | 74 |
| RDS(on)(mΩ) | 35 |
| TJ(Max.)(℃) | 175 |
| TJ(Min.)(℃) | -40 |
| VDSmax(V) | 1200 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.
SiC MOSFET 功率半导体器件
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| Package | TO-263-7 |
| Другое | |
| ID(A) | 74 |
| RDS(on)(mΩ) | 35 |
| TJ(Max.)(℃) | 175 |
| TJ(Min.)(℃) | -40 |
| VDSmax(V) | 1200 |
К этому компоненту пока не привязаны документы.