VBsemi(微碧半导体)Китай
F3055L TO252-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleTO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока18.2 A
Сопротивление в открытом состоянии73 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 18.2A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@10V,18.2A |
| 数量 | 1个N沟道 |