Поиск аналогов электронных компонентов

GSM02P15J

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 29, из них китайских: 15. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流1A
Id-额定电流1A
VDSS-最大漏源电压150V
Vgs(th)-门槛电压3V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗650mΩ
Ron-最大导通阻抗650mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1SOT23
Другое
Ciss-输入电容430pF
Ciss-输入等效电容430pF
Qg-栅极电荷4.4nC
Vdss-漏源耐压150V
Vgs-栅源耐压20V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量13
集成ESD保护二极管0
集成整流二极管0

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.