HUASHUO(华朔)Китай
是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDSON和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具备完整的功能可靠性认证。具有超低栅极电荷、绿色环保器件、出色的Cdv/dt效应抑制、先进的高单元密度沟槽技术等特点。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток250 V
Постоянный ток стока1 A
Сопротивление в открытом состоянии1 ΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 250V |
| 连续漏极电流(Id) | 1A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.