MOSFET ARRAY 2 N-CH 55V 4.7A SO-8
IRF7341 — двойной N-канальный HEXFET силовой MOSFET с напряжением 55В в корпусе SO-8, с низким сопротивлением канала для поверхностного монтажа.Проверено по даташиту
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 4, из них китайских: 2. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Параметры, сверенные с даташитом
Пунктов: 21| Параметр | Значение и условия измерения | Источник |
|---|---|---|
| Корпус | SO-8 | |
| Диапазон температур перехода и хранения | -55 to + 150 °C | |
| Класс | Consumer market | |
| RoHS | Lead-Free | |
| Напряжение сток-исток | Max 55 V | |
| Непрерывный ток стока | Max 3.8 A @ TC = 70°C, VGS = 10V |
Все параметры (7)
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| Package | SO-8 |
| Другое | |
| ID @ TC = 25°C | 4.7 A (Max) |
| PD @ TC = 25°C | 2.0 W (Max) |
| RDS(on) @ VGS = 10V | 0.050 Ω (Max) |
| TJ, TSTG | -55 to + 150 °C |
| VDS | 55 V (Max) |
| VGS(th) | 1.0 V (Min) |
Распиновка и корпус
КорпусSO-8
| Вывод | Название | Назначение | Источник |
|---|---|---|---|
| 1 | S1 | (Исток 1) | |
| 2 | G1 | (Затвор 1) | |
| 3 | S2 | (Исток 2) | |
| 4 | G2 | (Затвор 2) | |
| 5 | D2 | (Сток 2) | |
| 6 | D2 | (Сток 2) | |
| 7 | D1 | (Сток 1) | |
| 8 | D1 | (Сток 1) |
Документы
Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.