HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
此款SOT-363封装的NPN+PNP双极型三极管，单个单元具备40V的VCEO和0.2A的最大集电极电流，放大倍数在100至300之间，适用于各种互补对称电路设计，提供高效、精准的信号放大与反相功能。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипNPN + PNP
Напряжение коллектор-эмиттер40 V
Ток коллектора200 mAМакс.
Мощность200 mWМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 集电极电流(Ic) | 200mA |
| Другое | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |