DIODE GP 800V 3A SQ-MELF B
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение800 V
Средний выпрямленный ток3 A
Прямое падение напряжения1.3 VМакс. · 9 A
ТипStandardStandard Recovery >500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 800 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 9 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C~175°C |
| Package | Bulk |
| Package / Case | SQ-MELF, B |
| Supplier Device Package | SQ-MELF, B |
| Другое | |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Diode Type | Standard |
| Mfr | Microchip Technology |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2 µs |
| Series | Military, MIL-PRF-19500/420 |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.