NEC CorporationЯпония
MES FET N-CH 0.4W 15V 79A
GaAs MES FET NEC мощностью 0,4 Вт для L/S-диапазона в корпусе 79A, предназначенный для усилителей мощности передатчиков в системах мобильной связи.Проверено по даташиту
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Параметры, сверенные с даташитом
Пунктов: 17| Параметр | Значение и условия измерения | Источник |
|---|---|---|
| Тип | N-CHANNEL GaAs MES FET | |
| Корпус | 79A | |
| Напряжение сток-исток | Max: 15 V (TA = 25 °C) | |
| Напряжение затвор-исток | Max: -7 V (TA = 25 °C) | |
| Ток стока | Max: 0.6 A (TA = 25 °C) | |
| Общая рассеиваемая мощность | Max: 2.5 W (TA = 25 °C) |
Все параметры (7)
| Питание | |
|---|---|
| Drain to Source Voltage | 15 V |
| Power Added Efficiency | 45 % (Typ) |
| Total Power Dissipation | 2.5 W |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| Linear Gain | 14.0 dB (Typ) |
| Output Power at 1 dB Gain Compression Point | 26.0 dBm (Typ) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Package | 79A |
| Storage Temperature | -65 to +150 °C |
Распиновка и корпус
Корпус79A
| Вывод | Название | Назначение | Источник |
|---|---|---|---|
| 1 | Сток | ||
| 2 | Исток | ||
| 3 | Затвор |
Изображения
Документы
Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.