VBsemi(微碧半导体)Китай
P0803BDG-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleTO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Технические параметры этого компонента пока не указаны.
TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
Технические параметры этого компонента пока не указаны.