Поиск аналогов электронных компонентов

SI3424BDV-T1-GE3

Single FETs, MOSFETsSOT-23-6 Thin

MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 12. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока8 A
Сопротивление в открытом состоянии28 mΩМакс. · 7A
Пороговое напряжение3 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package6-TSOP
Другое
Base Product NumberSI3424
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds735 pF @ 15 V
MfrVishay Siliconix
PackagingTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Part StatusLast Time Buy
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 7A, 10V
SeriesTrenchFET®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.