Поиск аналогов электронных компонентов

SI4320DY-T1-GE3

Single FETs, MOSFETs8-SOIC

MOSFET N-CH 30V 17A 8SO

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 2. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока17 A
Сопротивление в открытом состоянии3 mΩМакс. · 25A
Пороговое напряжение3 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)1.6W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC
Другое
Base Product NumberSI4320
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6500 pF @ 15 V
MfrVishay Siliconix
PackagingTape & Reel (TR)
Part StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 25A, 10V
SeriesTrenchFET®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Документы