SIZ320DT-T1-GE3
FET, MOSFET ArraysMOSFET 2N-CH 25V 30A/40A 8PWR33
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Power - Max | 16.7W, 31W |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Supplier Device Package | 8-Power33 (3x3) |
| Другое | |
| Base Product Number | SIZ320 |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Packaging | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Part Status | Last Time Buy |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V |
| Series | PowerPAIR®, TrenchFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.