VBsemi(微碧半导体)Китай
SSP45N20B-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。TO220；N—Channel沟道,200V；50A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=3.5~5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток200 V
Постоянный ток стока50 A
Сопротивление в открытом состоянии46 mΩМакс. · 15V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@15V |
| 数量 | 1个N沟道 |