Поиск аналогов электронных компонентов
STD30NF06LT4
STMicroelectronicsШвейцария

STD30NF06LT4

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleDPAK

MOSFET N-CH 60V 35A DPAK

N-канальный 60В 35А STripFET II силовой MOSFET в корпусе DPAK, низкое пороговое напряжение, минимальный заряд затвора, для коммутационных приложений.Проверено по даташиту

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 23, из них китайских: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 VMin 60 V (VGS = 0，ID = 250 μA)
Постоянный ток стока35 A
Сопротивление в открытом состоянии28 mΩМакс. · Max 0.028 Ω (VGS = 10 V，ID = 18 A)，Max 0.03 Ω (VGS = 5 V，ID = 18 A)
Пороговое напряжение2.5 VМакс. · Max 2.5 V (VDS = VGS，ID = 250 μA)

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 21
ПараметрЗначение и условия измеренияИсточник
КаналN-channel
Напряжение пробоя сток-истокMin 60 V (VGS = 0, ID = 250 μA)
Ток стока (непрерывный)35 A at TC = 25 °C; 25 A at TC = 100 °C
Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянииTyp 0.022 Ω, Max 0.028 Ω (VGS = 10 V, ID = 18 A); Typ 0.025 Ω, Max 0.03 Ω (VGS = 5 V, ID = 18 A)
Пороговое напряжение затвораMin 1 V, Typ 1.7 V, Max 2.5 V (VDS = VGS, ID = 250 μA)
КорпусDPAK
Максимальная рабочая температура перехода-55 to 175 °C
Температура хранения-55 to 175 °C
Полная рассеиваемая мощность70 W at TC = 25 °C
Коэффициент снижения мощности0.47 W/°C
Ток стока (импульсный)140 A
Напряжение затвор-исток±20 V
Ток стока при нулевом напряжении затвораMax 1 μA (VDS = 60 V); Max 10 μA (VDS = 60 V, TC = 125 °C)
Ток утечки затвораMax ±100 nA (VDS = 0, VGS = ±20 V)
Прямое напряжение в открытом состоянииMax 1.5 V (ISD = 35 A, VGS = 0)
Время обратного восстановленияTyp 70 ns (ISD = 35 A, di/dt = 100 A/μs, VDD = 15 V, TJ = 150 °C)
Заряд обратного восстановленияTyp 140 nC (ISD = 35 A, di/dt = 100 A/μs, VDD = 15 V, TJ = 150 °C)
Время задержки включенияTyp 30 ns (VDD=30 V, ID=18 A, RG=4.7 Ω, VGS=4.5 V)
Время нарастанияTyp 105 ns (VDD=30 V, ID=18 A, RG=4.7 Ω, VGS=4.5 V)
Время задержки выключенияTyp 65 ns (VDD=30 V, ID=18 A, RG=4.7 Ω, VGS=4.5 V)
Время спадаTyp 25 ns (VDD=30 V, ID=18 A, RG=4.7 Ω, VGS=4.5 V)
Все параметры (21)РазвернутьСвернуть
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Power Dissipation (Max)70W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~175°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageDPAK
Другое
Base Product NumberSTD30
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600 pF @ 25 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 18A, 10V
SeriesSTripFET™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Распиновка и корпус

Figure 1. Internal schematic d…
Figure 1. Internal schematic d…
Корпус: DPAK
ВыводНазваниеНазначениеИсточник
1Затвор
2Сток / Тепловой контакт
3Исток

Изображения

STD30NF06LT4Фото · Каталог ChipCross

Документы

DatasheetDatasheet · 857.8 KB · 2026-11-09DatasheetDatasheet · 341.8 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 341.8 KB · 2026-09-21
Центр документации

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.