VBsemi(微碧半导体)Китай
SUD25N04-25-T4-E3-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于设计各种电源模块、电动汽车辅助系统、工业控制器等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；55A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток40 V
Постоянный ток стока55 A
Сопротивление в открытом состоянии14 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 55A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |