VBsemi(微碧半导体)Китай

SOP8；N+P—Channel沟道,±100V；4.6/-3.4A；RDS(ON)=80/150mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1.5~±2.5V；是一款双N+P沟道功率MOSFET，采用Trench技术，适用于多种电力电子应用。