Результаты поиска:2N7002T
Найдено: 50+- С даташитом (в первых 50)36
- Производителей (в первых 50)31
Результаты поискаВсего: 50+
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F | |||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523F | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 该消费级N沟道MOSFET采用SOT-523微型封装，具有60V高耐压和0.1A电流处理能力，专为紧凑型、低功耗电子设备设计，实现精细电源管理与高效开关功能。 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | N沟道 60V 115mA | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。 | Даташит4 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA适用于电源开关和信号控制 | Даташит4 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 小电流MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：0.3A, Rdson：1100mR | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | N沟道,60V,0.115A,7Ω@5V | Даташит21 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит3 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит9 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит3 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | N沟道,电流:115mA,耐压:60V | Даташит1 | ||||
| Даташит5 | ||||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | N沟道,60V,115mA | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2N7002T | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 特性：N沟道增强型MOSFET。VDS 漏-源电压 60 V。ID 漏极电流（连续） 115 mA。高密度单元设计，实现低 RDS(ON)。 应用：负载开关、便携设备等 | |||||
| Single FETs, MOSFETs | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Даташит3 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | Даташит1 | |||||
| Single FETs, MOSFETs | ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.