Результаты поиска:BZT52B11S
Найдено: 36- С даташитом28
- Производителей29
Результаты поискаВсего: 36
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Single Zener Diodes | SOD-323F, 200MW, 2%, SMALL SIGNA | |||||
| Diodes - Zener - Single | ZENER DIODE 11V 0.2W SOD-323 | Даташит2 | ||||
| Diodes - Zener - Single | SOD-323 11V 0.3W Diodes Zener | Даташит6 | ||||
| Single Zener Diodes | Даташит2 | |||||
| Single Zener Diodes | Даташит6 | |||||
| Single Zener Diodes | BZT52B11S | Даташит1 | ||||
| Single Zener Diodes | BZT52B11S | Даташит16 | ||||
| Single Zener Diodes | 稳压二极管 | Даташит4 | ||||
| Single Zener Diodes | 贴片稳压二极管精度2%，较低的IR漏电流 | Даташит16 | ||||
| Single Zener Diodes | 11V，0.2W | Даташит1 | ||||
| Single Zener Diodes | BZT52B11S | Даташит1 | ||||
| Single Zener Diodes | 用于稳压和过压保护，电源储能、工控电路、通讯设备、智能控制 | |||||
| Single Zener Diodes | BZT52B11S | Даташит1 | ||||
| Single Zener Diodes | Даташит1 | |||||
| Single Zener Diodes | 该稳压二极管的反向击穿电压（VR）为11V，可在输入电压波动时提供稳定的电压基准。正向导通电流（IF）最高达5A，正向导通压降（VF）仅为0.1V，具备较强的电流处理能力与较低的导通损耗。在反向截止状态下，漏电流（IR）低至0.9μA，确保良好的阻断性能。器件最大功耗（PD）为0.2W，适用于中小功率电路中的电压钳位、过压防护及稳压参考等应用，常用于电源模块、通信设备及消费类电子产品的信号保护与电压调节设计中。【联系：sales@hxymos.com】 | Даташит1 | ||||
| Switching Diodes | Даташит1 | |||||
| Single Zener Diodes | 稳压管 BZT52B11S | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.