Результаты поиска:C6D10065G
Найдено: 6- С даташитом5
- Производителей3
Результаты поискаВсего: 6
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Single Diodes | DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2 | Даташит14 | ||||
| Diodes - Rectifiers - Single | DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2 | Даташит1 | ||||
| Single Diodes | 碳化硅二极管是一款基于先进材料技术的半导体器件，其正向电流（IF）承载能力达10安培，反向重复峰值电压（VR）为650伏特，确保了在高压环境下的稳定运行。正向电压降（VF）低至1.3伏特，在保证高效导电的同时减少了能量损耗。该器件的反向漏电流（IR）仅为50微安，体现了其优异的绝缘性能。此外，它能承受高达80安培的瞬时峰值正向电流（IFSM），增强了应对突发电流冲击的能力。此款二极管适用于需要高效率和高可靠性的电路设计中，如电源转换、可再生能源系统及紧凑型电子设备等应用领域。 | Даташит1 | ||||
| Single Diodes | SiC肖特基二极管 | |||||
| Single Diodes | DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2 | Даташит1 | ||||
| Diodes - Rectifiers - Single | DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2 | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.