Результаты поиска:GC041N65QF
Найдено: 2- С даташитом2
- Производителей2
Результаты поискаВсего: 2
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Single FETs, MOSFETs | 【联系：sales@hxymos.com】该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至44mΩ，适用于高效率功率转换场景。其栅源电压范围为-8V至+20V（VGS），具备良好的驱动兼容性与开关特性。器件基于碳化硅材料，相较传统硅基MOSFET，在高频、高温工作条件下展现出更低的导通与开关损耗，适合用于对能效和热管理要求较高的电源系统中。 | Даташит1 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.