Результаты поиска:IRLML2502TRPBF
Найдено: 13- С даташитом10
- Производителей10
Результаты поискаВсего: 13
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит9 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит3 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 适用于各类小型电子设备,提供高效、稳定的开关与功率转换性能。 | Даташит7 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | Даташит1 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | N-CHANNEL MOSFET 20V 4.2A SOT-23 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | HEXFET POWER MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 | |||||
| Даташит6 | ||||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。 | Даташит4 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片,长电科技封装;这是一款单N型场效应晶体管,适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造;可用作开关电源的关键部件,驱动汽车电子系统中的各种负载,控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23;N—Channel沟道,20V;6A;RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=0.45~1V; | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | IRLML2502TRPBF-HJC | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压20V,最大连续电流6A。专为高效能电子应用设计,具备低导通电阻与快速开关性能,适用于充电器、电源转换等领域,实现精准可靠的功率控制与管理。 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 适用于各类小型电子设备,提供高效、稳定的开关与功率转换性能。 | Даташит7 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.