Результаты поиска:LJ6401PT1G
Найдено: 1- С даташитом0
- Производителей1
Результаты поискаВсего: 1
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 特性：P沟道MOSFET，电压(VDS)：-12V，电流 (ID)：-4.3A (TA=25°C)，-3.4 A (TA=70°C)。超低导通电阻，开关速度快。低压负载开关特别适合低压逻辑直接驱动的负载开关，用于可穿戴设备、智能手机等。 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.