Результаты поиска:TK11A65W
Найдено: 6- С даташитом6
- Производителей4
Результаты поискаВсего: 6
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит13 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 高品质超洁MOS管 N沟道,电流11.1A,耐压650V,导通电阻：0.33Ω | Даташит3 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | 【联系：sales@hxymos.com】该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为15A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至+16V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类中高功率电子设备中的功率开关环节，有助于提升整体能效并减小系统体积。 | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | TO220F；N—Channel沟道,650V；10A；RDS(ON)=820mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V； | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит2 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.