Результаты поиска:IRF3205Z
Найдено: 20- С даташитом19
- Производителей5
Результаты поискаВсего: 20
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | Даташит8 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | ||||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET N-CH 55V 75A TO262 | Даташит5 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | Даташит4 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET N-CH 55V 75A TO262 | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 55V 75A TO262 | Даташит3 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | Даташит2 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | Даташит3 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 55V 75A TO262 | Даташит4 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | Даташит5 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | Даташит4 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V； | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。 | Даташит8 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性，能够满足中等功率、高电流应用的要求，适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。TO263；N—Channel沟道,60V；150A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V； | Даташит1 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | Даташит3 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性，能够满足中等功率、高电流应用的要求，适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。TO263；N—Channel沟道,60V；150A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V； | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.