搜索结果:WPM2015
共 12 条- 匹配型号12
- 有数据手册11
- 涉及品牌9
产品搜索结果共 12 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 耐压:20V 电流:3A | 数据手册9 | 查看详情 | ||||
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| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 数据手册6 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 这款场效应管具有5A的电流承载能力,最高20V的工作电压,以及35mR的典型内阻。其VGS为12V,属于P型器件。适用于多种应用场景,如电源管理、信号放大及开关电路等,确保系统稳定运行。低内阻使其在高频开关应用中具有优势。(WPM2015-3/TR) | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 数据手册3 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 耐压:20V 电流:2.8A | 数据手册9 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | P沟道,-20V-2.4A | 数据手册3 | 查看详情 | ||||
| 单 FET,MOSFET | 这款场效应管具有5A的电流承载能力,最高20V的工作电压,以及35mR的典型内阻。其VGS为12V,属于P型器件。适用于多种应用场景,如电源管理、信号放大及开关电路等,确保系统稳定运行。低内阻使其在高频开关应用中具有优势。 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 单 FET,MOSFET | 数据手册1 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | P沟道,-20V,-2.3A,90mΩ@-4.5V,-2.3A;应用领域:应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。 | 数据手册4 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;是一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23;P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V;Vth=-0.5~-1.5V; | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 单 FET,MOSFET | P-Channel MOSFET | 数据手册1 | 查看详情 |
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