搜索结果:WPM2015

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

耐压:20V 电流:3A

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

这款场效应管具有5A的电流承载能力,最高20V的工作电压,以及35mR的典型内阻。其VGS为12V,属于P型器件。适用于多种应用场景,如电源管理、信号放大及开关电路等,确保系统稳定运行。低内阻使其在高频开关应用中具有优势。(WPM2015-3/TR)

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

耐压:20V 电流:2.8A

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

P沟道,-20V-2.4A

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单 FET,MOSFET

这款场效应管具有5A的电流承载能力,最高20V的工作电压,以及35mR的典型内阻。其VGS为12V,属于P型器件。适用于多种应用场景,如电源管理、信号放大及开关电路等,确保系统稳定运行。低内阻使其在高频开关应用中具有优势。

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单 FET,MOSFET

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

P沟道,-20V,-2.3A,90mΩ@-4.5V,-2.3A;应用领域:应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

台积电流片,长电科技封装;是一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23;P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V;Vth=-0.5~-1.5V;

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单 FET,MOSFET

P-Channel MOSFET

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