Results forSI2312B

N-CHANNEL MOSFET,SOT-23

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

N沟道,20V,5A,31mΩ@4.5V

台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。

Si2312BDS-T1-E3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高效能、低功耗电路设计。该器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定承载3A的漏极电流(ID)，并具备出色的23mΩ导通电阻(RD(on))，确保了良好的能源转换效率。广泛应用于电源管理、负载开关、电池管理系统等场景，是构建小型化、节能型电子设备的优秀半导体组件。

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

该N沟道场效应管最大漏极电流为4.5A，漏源击穿电压20V，导通电阻23mΩ，栅源电压额定值12V。器件在20V电压范围内具备低导通损耗特性，适用于笔记本电脑电源管理、电池保护电路及便携式设备负载开关。其参数设计有助于优化系统能效，适合对空间和热性能有严格要求的消费类电子应用。

Si2312BDS-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高集成度和低功耗应用设计。器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，并可承受3A的连续漏极电流(ID)，凭借其卓越的23mΩ导通电阻(RD(on))，在保证高效率的同时有效降低功耗。广泛应用于电源转换、负载开关、电池保护等电路中，是实现小型化、节能电子设备的理想半导体元件。