VishayСША
DIODE GEN PURP 100V 300MA DO-35
Vishay 1N4448 — кремниевый эпитаксиальный планарный диод быстрого переключения с обратным напряжением 100В и средним прямым током 150мА, предназначен для сверхбыстрых переключателей.Проверено по даташиту
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение100 V
Средний выпрямленный ток150 mA150 mA (V_R=0)
Прямое падение напряжения1 VМакс. · Max 1 V (I_F=100mA)，Max 0.72 V (I_F=5mA)
ТипSwitching
Параметры, сверенные с даташитом
Пунктов: 18| Параметр | Значение и условия измерения | Источник |
|---|---|---|
| Повторяющееся пиковое обратное напряжение | 100 V | |
| Средний прямой ток | 150 mA (V_R=0) | |
| Прямое падение напряжения | Max 1 V (I_F=100mA); Min 0.62 V, Max 0.72 V (I_F=5mA) | |
| Тип | Silicon Epitaxial Planar Diodes / Fast Switching Diodes | |
| Корпус | Ammopack (1N4448-TAP), Tape and Reel (1N4448-TR) | |
| Температура перехода | 200 °C |
Все параметры (7)
| Питание | |
|---|---|
| Forward current | 300 mA |
| Forward voltage | 0.72 V (Max) |
| Power dissipation | 500 mW |
| Repetitive peak reverse voltage | 100 V |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Junction temperature | 200 °C |
| Storage temperature range | -65...+200 °C |
| Другое | |
| Reverse recovery time | 8 ns (Max) |
Документы
Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.