Поиск аналогов электронных компонентов
N-Channel MOSFET
Источник: Даташит, с. 1

MOSFET N-CH 60V 300MA 2OHM SOT-23

N-канальный MOSFET 60 В в корпусе SOT-23, ток стока 0,3 А, сопротивление канала макс. 2 Ом, пороговое напряжение тип. 2 В, защита ESD 2000 В.Проверено по даташиту

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 6. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока190 ~ 300 mA0.3 A (TA = 25 °C),0.19 A (TA = 100 °C)
Пороговое напряжение2 VТип.

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 18
ПараметрЗначение и условия измеренияИсточник
КаналN-Channel
Напряжение сток-исток60 V
Непрерывный ток стока0.3 A (TA = 25 °C), 0.19 A (TA = 100 °C)
Сопротивление канала2 Ω max. at VGS = 10 V
Пороговое напряжение2 V (typ.)
КорпусSOT-23 (TO-236)
Диапазон рабочих и температур хранения-55 to +150 °C
RoHSRoHS-compliant (2N7002K-T1-E3)
Без галогеновHalogen-free (2N7002K-T1-GE3)
Напряжение затвор-исток±20 V
Импульсный ток стока0.8 A
Мощность рассеивания0.35 W (TA = 25 °C), 0.14 W (TA = 100 °C)
Максимальное тепловое сопротивление переход-окружающая среда350 °C/W
Заряд затвора0.4 nC (typ.)
Входная емкость25 pF
Скорость переключения25 ns
Защита от ЭСР2000 V
КонфигурацияSingle
Все параметры (7)РазвернутьСвернуть
Питание
Continuous drain current (TJ =150 °C) TA =25 °C0.3 A
Drain-source voltage60 V
Gate-threshold voltage1 V (Min)
Условия эксплуатации и корпус
Operating junction and storage temperature range-55 to +150 °C
PackageSOT-23
Другое
Drain-source on-resistance b2 Ω (Max)
Total gate charge0.4 nC (Typ.)

Распиновка и корпус

КорпусSOT-23 (TO-236)

ВыводНазваниеНазначениеИсточник
1Затвор (G)
2Исток (S)
3Сток (D)

Изображения

Документы

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.